技术应用

中子散射

中子散射已成为探测量子和磁性材料在大长度和时间尺度上的微观结构和动力学的不可缺少的工具。

利用高温超导体 (HTS) 的优势,HTS-110 开发了一系列用于中子散射的超导磁体系统,这些系统被用于全球的中子研究设施,如 FRMII(德国)、ISIS(英国)、ILL(法国)、NIST(美国)和 ANSTO(澳大利亚)。

用于中子散射的关键 HTS 磁体特性

  • 无低温,可快速冷却室温
  • 孔或冷孔,可与可变样品温度插件集成
  • 与传统的低温超导 (LTS) 磁体相比,更高的工作温度可加快升温
  • 速度被动或主动屏蔽
  • 最大限度地减少边缘场刚性
  • 支架允许任何磁场方向
  • 带被动屏蔽的非对称分裂磁对或对称分裂磁对,可为偏振分析定制零场节点位置
  • 室温下的大孔径,中子束中没有会导致散射背景的材料
  • 可安装角度计进行旋转
  • 可选择外部零场节点

案例 1:用于偏振中子散射的 3 T 磁体

应用:

  • 小角中子散射 (SANS)
  • 偏振中子反射仪 (PNR)

规格:

  • 水平场高达 3.0 T
  • 80 毫米极间隙
  • 样品体积:25 毫米 DSV
  • 用于存取样品的直径 80 毫米垂直 RT 孔
  • 4 X Ø60 mm 水平 RT 孔
  • 32° 水平开口角
  • 磁体低温恒温器外的所有零场节点
  • 边缘场: 径向 < 1 高斯(1 米处),轴向 < 10 高斯(0.5 米处)
  • 重量:340 千克
  • 尺寸: 471 x 504 x 998 471 x 504 x 998 毫米

例 2:用于中子衍射和反射测量的 2.5 T 磁体

应用:

  • 中子衍射
  • 中子反射测量
  • 飞行时间 (TOF) 散射
  • 偏振中子散射

规格:

  • 垂直和水平场高达 2.5 T
  • 80 毫米极间隙
  • 4 X Ø80 毫米 RT 孔
  • 150° 水平散射角
  • ± 20° 垂直孔径角
  • 可在任何方向运行
  • 冷却时间: 22 小时
  • 重量:186 千克
  • 尺寸: 596 X 363 X 794 毫米 596 X 363 X 794 毫米

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